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Hot Products / 热卖产品
2018 - 07 - 30
AF-48B系列设备 是一种适用于tray盘装、卷带、管装IC的专业多 颗取放式自动烧录设备。 系统配备4颗IC取放吸嘴和15组内建烧录/测试单元,皆有优异的控制软体,提供IC烧录/测试、带上打印 以及包装转换的多重功能。 内建的烧录/测试单元 提供高效且稳定的多颗IC并行烧录/测试。系统并提供烧录/测试后芯 片上打点的选择。 多种I/O装置可供架设及更换,让系统有 极大的灵活性...
2017 - 03 - 13
为什么选择F-804P系列性价比高,支持器件广泛,速度快,有竞争的 价格强大的的服务支持,拥有专业 的资深技术师团队,快速的提供烧录方案,节省客户 的研发时间灵活性高,一台机电 脑可以同时连接8台或更多的主机解决,可任意设定主机编号,便于作业操作取放。接近极限的编程速度:eMMC器件读写速度可达20MBytes/秒(基本实现EMMC的极限速度);最高支持48MHz读写脉冲,读写速度 接近器件的极限。编程+校...
2016 - 11 - 06
F-800U高速通用型編程器 源自於香 港的第壹品牌,超高的性 價比和優越的產品性能,成為各類 消費類電子品牌廠家及SMT代工廠芯 片燒錄最佳選擇方案。 性能特點: 1.支持芯片種類:EEPROM,SPI FLASH,NOR FALSH,NAND FLASH,MCU,CPLD,FPGA,eMMC等 2.支持芯片封裝:SOIC,SOP,TSOP,PLCC,QFP,QF...
2016 - 11 - 06
专业eMMC超级编程 器新一代专业支持eMMC超级编程器F-801E,功能强大、操作省时、稳定高效: 支持eMMC全系列封装:12*16mm/12*18mm/14*18mm/ 11.5*13mm等; 支持eMMC全系列管脚:153Pin /162Pin/169Pin/186Pin等; 支持eMMC各规格版本:4.1/4.2/4.3/4.41/4.5/5.0; ...
2016 - 11 - 06
支持最新型号的NOR FLASH、NAND FLASH、SERIAL FLASH。接近极限的编程速度: 最高支持48MHz读写脉冲,读写速度 接近器件的极限。编程+校验一片1Gb NAND FLASH仅需34秒,编程+校验一片8Mb SERIAL FLASH仅需4秒; 110路万能驱动电路:  110路万能驱动,110脚内同封 装不同型号芯片只需一种适配器,降低...
2016 - 11 - 06
产品介绍F-801P超高速通用FLASH编程器F-801P是基于F-801提升稳定 ,硬件传输速度更快. 专业的FLASH编程器:   支持最新型号的 FLASH、NAND FLASH、SERIAL FLASH、MoviNAND、iNAND 和 eMMC等。    支持MoviNAND、i...
2016 - 11 - 06
专业的FLASH编程器: 支持最新型号的NOR FLASH、NAND FLASH、SERIAL FLASH。接近极限的编程速度: 最高支持48MHz读写脉冲,读写速度 接近器件的极限。编程+校验一片1Gb NAND FLASH仅需34秒,编程+校验一片8Mb SERIAL FLASH仅需4秒; 110路万能驱动电路: 110路万能驱动,110脚内同封装不同型号...
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发布时间: 2019 - 01 - 06
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发布时间: 2018 - 06 - 01
F-800U编程器简介PDF
BGA(ball grid array)BGA封装实物 [1]球形触点阵列,表面贴装型封装之一。在印刷基 板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚,在印刷基 板的正面装配LSI 芯片,然后用模 压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200,是多引脚LSI 用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如,引脚中心距为1.5mm 的360 引脚BGA仅为31mm 见方;而引脚中心距为0.5mm 的304 引脚QFP 为40mm 见方。而且BGA 不用担心QFP 那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola 公司开发的,首先在便 携式电话等设备中被采用,今后在美 国有可能在个人计算机中普及。最初,BGA 的引脚(凸点)中心距为1.5mm,引脚数为225。现在也有一些LSI 厂家正在开发500 引脚的BGA。BGA 的问题是 回流焊后的外观检查。现在尚不 清楚是否有效的外观检查方法。有的认为,由于焊接 的中心距较大,连接可以 看作是稳定的,只能通过 功能检查来处理。美国Motorola 公司把用 模压树脂密封的封装称为OMPAC,而把灌封 方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。BQFP(quad flat package with bumper)BQFP封装实物 [2]带缓冲垫 的四侧引脚扁平封装。QFP 封装之一,在封装本...
发布时间: 2019 - 06 - 06
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什么是LGA、PGA、BGA类型的封装?众所周知,CPU封装的类 型主要为三种:LGA,PGA,BGA,其中LGA封装是最常见的,intel处理器都 是采用这种类型的封装,而PGA封装则是AMD常用的一种封装类型。而今天装 机之家帮大家科普一下关于CPU封装的知识,带来LGA、PGA、BGA三种封装方式对比,希望大家会喜欢。什么是CPU的封装?CPU的物理结构由晶圆与PCB加上其他 电容等单元构成的。 晶圆至于 晶圆为什么是圆的,主要是因 为工艺以及后期方便切割以及利用率的考虑。那么切割 下来一个小方块就是CPU上的一个晶圆了。 ▲CPU的物理构成。那么一颗CPU晶圆切割下来,与PCB连接,然后加上 或者不加上保护盖,这就是一个完整的CPU了。但是!一颗CPU并不能可以工作了,他需要和主板连接,那么这个 与主板连接的方式,就叫做封装。(有点小饶,但是相信你可以明白)封装的类 型主要为三种:LGA,PGA,BGA。LGA:LGA的全称叫做“land grid array”,或者叫“平面网格阵列封装”。 ▲我们平时常见的Intel CPU基本都采 用了这样的封装方式。如:Intel自775之后的所 有桌面处理器AMD 皓龙、霄龙、TR等处理器 这种封装方式的特点就是触点都在CPU的PCB上,而整个CPU的背部就 像网格一样覆盖在CPU背部,而为了能够让主板与CPU连通,主板则承担了提...
发布时间: 2018 - 08 - 03
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NOR Flash闪存技术 是现在市场上两种主要的非易失闪存技术之一。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术,彻底改变了原先由EPROM(Erasable Programmable Read-Only-Memory电可编程 序只读存储器)和EEPROM(电可擦只读存储器Electrically Erasable Programmable Read - Only Memory)一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND Flash 结构,强调降低 每比特的成本,有更高的性能,并且像磁 盘一样可以通过接口轻松升级。NOR Flash 的特点是芯片内执行(XIP ,eXecute In Place),这样应用 程序可以直接在Flash闪存内运行,不必再把 代码读到系统RAM中。NOR 的传输效率很高,在1~4MB的小容量 时具有很高的成本效益,但是很低 的写入和擦除速度大大影响到它的性能。NAND的结构能 提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入 和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于Flash的管理需 要特殊的系统接口。通常读取NOR的速度比NAND稍快一些,而NAND的写入速度比NOR快很多,在设计中 应该考虑这些情况。——《ARM嵌入式Linux系统开发 从入门到精通》 李亚峰 欧文盛 等编著 清华大学出版社 P52 注释 API Key性能比较flash闪存是...
发布时间: 2018 - 07 - 27
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在可程式 元件选择众多的今日,您可以轻 易地将数百万位元的程式和资料永久地保存在FLASH、EPROM、中,或是将百 来颗的传统数位元件塞进一个指甲般大小的CPLD、FPGA、MCU之中;也可以将 整个微电脑化为一颗单晶片,这整个过 程只需要借助一台编程器就可以完成,下面为大 家介绍一下编程器:编程器依使用的需求,大概可以 分为研发用和量产用两大类型,不同的使 用目的也造就了不同的设计理念和特性,今天我们 着重了解量产型编程器。这一类的 编程器通常已经归属到生产设备的范畴,售价不是最大的考虑,良率、稳定、产能和服 务才是重要的决定因素。影响元件 烧录良率的要素有三:编程器、IC的制程更新、操作人员;其中编程 器又占了最重的比重,只要设计良好,完全遵守IC厂商规范 的烧录演算法(Algorithm),并随时配合IC制造商的变更,在最短时 间内让使用者能有最佳的烧录方法可用,再加上恰 到好处的防呆设计,避免操作人员的疏失,如此才造 就出了近乎完美的烧录良率。而生产单 位不比办公室,除了环境因数之外,一天8小时甚至24小时的长时间使用,编程器的 稳定度就决定了您的生产线会不会断线。再者如果您是在烧录FLASH、EPROM或其它大容量的IC就要考到 编程器的产出率,在同样合乎IC的规范下 快慢的差异可能有数倍之多,考量您的 工时和整体产能,产出率也是一大重点。如果前面 几点比较起来差异不大,那编程器 厂商的快速服务和永久经营就决定了一切...
发布时间: 2018 - 07 - 25
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3D NAND Flash 作为新一 代的存储产品,受到了业 内的高度关注!但目前3D NAND仅由三星 电子独家量产。而进入了最近两个月,先有东芝(Toshiba)杀入敌营,如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND 芯片,而且已经送样,三星一家 独大的情况将画下句点,加上早前Intel加大在大连工厂的3D Xpoint的投入,3D NAND大战一触即发。什么是3D NAND闪存?从新闻到评测,我们对3D NAND闪存的报 道已经非常多了,首先我们 要搞懂什么是3D NAND闪存。我们之前 见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖 楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积 一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。3D NAND闪存也不 再是简单的平面内存堆栈,这只是其中的一种,还有VC垂直通道、VG垂直栅极等两种结构。3D NAND闪存有什么优势?在回答3D NAND闪存有什 么优势的时候,我们先要了解平面NAND遇到什么问题了——NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC类型之分,为了进一步提高容量、降低成本,NAND的制程工 艺也在不断进步,从早期的50nm一路狂奔到目前的15/16nm,但NAND闪存跟处理器不一样,先进工艺 虽然带来了更大...
发布时间: 2016 - 10 - 21
浏览次数:552
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